EMI降低技(ji)術
下(xia)面(mian)所述的變壓器(qi)結構技術用于降(jiang)低EMI：
? 使初級繞組作為骨(gu)架最里(li)面的繞組。
? 初(chu)級繞組的起始(shi)端連接至TOPSwitch的漏極。
? 對于使用次級側穩壓的變壓器設計，將偏置繞(rao)組(zu)放置在(zai)初級和次級繞(rao)組(zu)之間，作為(wei)一個(ge)屏蔽層。
其(qi)(qi)它的(de)(de)(de)(de)EMI/RFI降低技(ji)術包(bao)括在(zai)初(chu)(chu)(chu)級和次(ci)級繞(rao)(rao)(rao)組之(zhi)間(jian)(jian)增(zeng)(zeng)加屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)以(yi)(yi)及增(zeng)(zeng)加用(yong)(yong)于降低變(bian)壓器(qi)周(zhou)圍雜散場的(de)(de)(de)(de)“磁通量抑制(zhi)帶”。變(bian)壓器(qi)中位于初(chu)(chu)(chu)級和次(ci)級之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)層用(yong)(yong)于降低初(chu)(chu)(chu)級和次(ci)級之(zhi)間(jian)(jian)的(de)(de)(de)(de)共(gong)模噪聲的(de)(de)(de)(de)電(dian)(dian)容耦合(he)。屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)層即可以(yi)(yi)初(chu)(chu)(chu)級高(gao)壓供電(dian)(dian)端為(wei)參考(kao)，也(ye)可以(yi)(yi)初(chu)(chu)(chu)級返回(hui)端為(wei)參考(kao)。圖11所示為(wei)典型的(de)(de)(de)(de)具有屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)層的(de)(de)(de)(de)變(bian)壓器(qi)結構(gou)。最經濟的(de)(de)(de)(de)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)形式為(wei)采用(yong)(yong)導線(xian)(xian)來繞(rao)(rao)(rao)制(zhi)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)層。變(bian)壓器(qi)中增(zeng)(zeng)加屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)層時采用(yong)(yong)這種屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)方式的(de)(de)(de)(de)步驟非(fei)常簡單，只要(yao)使(shi)一(yi)個(ge)繞(rao)(rao)(rao)組平鋪至骨(gu)架的(de)(de)(de)(de)整(zheng)個(ge)寬度就可以(yi)(yi)了。屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)繞(rao)(rao)(rao)組的(de)(de)(de)(de)一(yi)端連接(jie)(jie)至初(chu)(chu)(chu)級返回(hui)端或初(chu)(chu)(chu)級V+供電(dian)(dian)端，而繞(rao)(rao)(rao)組的(de)(de)(de)(de)另一(yi)端懸空，并使(shi)用(yong)(yong)膠(jiao)帶絕緣，使(shi)其(qi)(qi)埋藏(zang)在(zai)變(bian)壓器(qi)內部，不要(yao)連接(jie)(jie)至任何引(yin)腳(jiao)上(shang)。繞(rao)(rao)(rao)制(zhi)屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)層時所使(shi)用(yong)(yong)的(de)(de)(de)(de)線(xian)(xian)徑(jing)要(yao)選擇合(he)適，為(wei)減低屏(ping)(ping)(ping)蔽(bi)(bi)(bi)繞(rao)(rao)(rao)組的(de)(de)(de)(de)圈數，可以(yi)(yi)使(shi)用(yong)(yong)較(jiao)大尺寸(cun)的(de)(de)(de)(de)導線(xian)(xian)。而使(shi)用(yong)(yong)相對較(jiao)小尺寸(cun)的(de)(de)(de)(de)導線(xian)(xian)便于將其(qi)(qi)端接(jie)(jie)至變(bian)壓器(qi)的(de)(de)(de)(de)引(yin)腳(jiao)上(shang)。 對于中小尺寸(cun)的(de)(de)(de)(de)變(bian)壓器(qi)，合(he)理的(de)(de)(de)(de)導線(xian)(xian)線(xian)(xian)徑(jing)為(wei)24-27AWG的(de)(de)(de)(de)導線(xian)(xian)。
在(zai)某些情況下，開關電源變壓(ya)器周圍(wei)的(de)(de)(de)雜散磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)會對鄰近電路構成干(gan)擾，進而產生EMI問題。為降(jiang)低(di)此類雜散磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)的(de)(de)(de)影響，在(zai)變壓(ya)器的(de)(de)(de)外圍(wei)可(ke)以(yi)增加(jia)一圈銅(tong)制的(de)(de)(de)“磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)屏(ping)(ping)蔽(bi)(bi)帶(dai)”，如圖(tu)12所(suo)示。對于(yu)變壓(ya)器繞組和磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)芯形成的(de)(de)(de)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)路以(yi)外的(de)(de)(de)雜散磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)來說，“磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)屏(ping)(ping)蔽(bi)(bi)帶(dai)”的(de)(de)(de)作用(yong) 相當于(yu)對其進行短路。雜散磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)場(chang)會在(zai)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)屏(ping)(ping)蔽(bi)(bi)帶(dai)內產生相反的(de)(de)(de)電流，可(ke)以(yi)部分地抵消其影響。如有必(bi)要，磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)屏(ping)(ping)蔽(bi)(bi)帶(dai)還可(ke)以(yi)連(lian)接至初級(ji)返回(hui)端，以(yi)降(jiang)低(di)靜電耦合的(de)(de)(de) 干(gan)擾。如果使(shi)用(yong)了磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)屏(ping)(ping)蔽(bi)(bi)帶(dai)，必(bi)須(xu)注意初級(ji)引腳(jiao)通(tong)過(guo)磁(ci)(ci)(ci)(ci)(ci)通(tong)屏(ping)(ping)蔽(bi)(bi)帶(dai)至次級(ji)引腳(jiao)之(zhi)間，要保證足夠的(de)(de)(de)爬電距離。更多信息請(qing)參見AN-15中(zhong)關于(yu)EMI降(jiang)低(di)技術的(de)(de)(de)描述(shu)。
