深(shen)夜睡不著(zhu)，起來(lai)更貼。。。。

上原理圖：

下面分(fen)別介紹各個部分(fen)的作用

↑↑↑上圖紅框部分：

L/N為交(jiao)流輸入(ru)端。

保險絲采用4.7R的繞線(xian)(xian)電(dian)(dian)阻(zu)，繞線(xian)(xian)電(dian)(dian)阻(zu)抗(kang)浪涌能(neng)力強，并且(qie)它是(shi)電(dian)(dian)阻(zu)絲(si)繞制(zhi)，會(hui)存在較大的寄生電(dian)(dian)感，可(ke)以吸(xi)收浪涌。

L2，CX1分別(bie)為共模電(dian)感，安規電(dian)容。

再往上就是橋堆(dui)了。

↑↑↑上(shang)圖紅框部分(fen)：

R1,R2為啟動電(dian)阻，上(shang)點初期，通過兩個電(dian)阻給VDD電(dian)容充電(dian)，達(da)到(dao)芯片(pian)啟動電(dian)壓后，DRV腳(jiao)開始輸出PWM信(xin)號

↑↑↑上圖紅(hong)框部分：

C1,L1,C2組(zu)成了π型濾波器，濾掉(diao)高頻噪聲，電磁兼容有這個要求，一般歐(ou)洲執(zhi)行標(biao)準(zhun)為EN55015

RZ1與RZ2為壓敏電阻，一(yi)個(ge)放(fang)在(zai)橋前，一(yi)個(ge)放(fang)在(zai)橋后的工字電感(gan)后。浪涌(yong)為一(yi)個(ge)瞬(shun)態高壓脈(mo)沖，電阻、電容、電感(gan)都對其都有吸收效果，再加上兩個(ge)直徑10mm壓敏(min)，吸收(shou)3KV尖峰穩(wen)穩(wen)當(dang)當(dang)。

↑↑↑上圖紅框部(bu)分：

框(kuang)中部(bu)分為變(bian)壓器，這(zhe)個變(bian)壓器一共3個繞組，分(fen)別為

開(kai)關(guan)管(guan)導通時，變壓器開(kai)始儲能，輔組(zu)(zu)繞(rao)組(zu)(zu)和次(ci)級繞(rao)組(zu)(zu)的二極管(guan)均反向截止。開(kai)光管(guan)關(guan)斷(duan)時，輔組(zu)(zu)繞(rao)組(zu)(zu)耳機導通，通過(guo)D2給VDD電(dian)(dian)容充電(dian)(dian)，維持(chi)芯片所需(xu)的(de)能量(liang)。同(tong)時次級二(er)極管(guan)也導通，將(jiang)能量(liang)傳(chuan)遞(di)至負載

↑↑↑上圖(tu)紅(hong)框部分：

R5為上拉電(dian)阻

R6為下拉電阻

在開關管(guan)關斷期間，變壓器退磁，在R6（芯片DSEN腳）上產生(sheng)一(yi)個方波，芯(xin)片內(nei)部檢測方波頂端電(dian)壓(ya)，以實現檢測次級電(dian)壓(ya)，實現空載保護（這是橫流模式，所(suo)以空載時輸出(chu)電(dian)壓(ya)會很高(gao)，需(xu)要做限(xian)制）。

另一(yi)方面(mian)，退磁結束之(zhi)后(hou)變壓器開始震蕩(dang)，此時R6上電(dian)(dian)壓(ya)迅速跌落，芯片檢(jian)測(ce)此(ci)跌落電(dian)(dian)壓(ya)，就(jiu)可以得到退(tui)磁結(jie)束的時間。如下圖所示：

                   斷(duan)續(xu)模(mo)式(shi)

                    臨(lin)界模式

斷續模(mo)式(shi)（DCM）在(zai)退磁結束之后(hou)會出(chu)現(xian)幾個振鈴，而(er)臨(lin)界模式（CRM，也(ye)稱準諧振模式）在(zai)退磁結束之后開關(guan)管會馬上(shang)打開。

↑↑↑上圖(tu)紅框部分(fen)：

R3,R4為(wei)驅(qu)動MOS的限流(liu)電(dian)(dian)阻，柵極電(dian)(dian)阻的作用(yong)：

1、消除柵(zha)極振(zhen)蕩

絕(jue)緣柵器件(jian)(IGBT、MOSFET)的(de)(de)柵(zha)(zha)(zha)射（或柵(zha)(zha)(zha)源）極(ji)之(zhi)間是容性結構，柵(zha)(zha)(zha)極(ji)回(hui)路的(de)(de)寄生(sheng)電(dian)感(gan)又(you)是不可避免的(de)(de)，如果沒有柵(zha)(zha)(zha)極(ji)電(dian)阻，那柵(zha)(zha)(zha)極(ji)回(hui)路在驅(qu)動器驅(qu)動脈沖的(de)(de)激勵下要(yao)產(chan)生(sheng)很強的(de)(de)振蕩，因此必須串(chuan)聯一個(ge)電(dian)阻加以迅(xun)速衰減。

2. 轉移驅動器的(de)功率損耗

電(dian)(dian)容電(dian)(dian)感都(dou)是無功元件，如果(guo)沒有柵極電(dian)(dian)阻，驅(qu)動功率(lv)就(jiu)將(jiang)絕(jue)大部分消耗(hao)在驅(qu)動器(qi)內部的輸出管上，使其(qi)溫度上升很多。

3. 調(diao)節功率(lv)開關器(qi)件(jian)的通(tong)斷速度

柵極電阻小，開(kai)關(guan)(guan)器件通斷快，開(kai)關(guan)(guan)損(sun)耗(hao)小；反之則(ze)慢，同時開(kai)關(guan)(guan)損(sun)耗(hao)大(da)。但驅動速(su)度(du)過快將(jiang)使(shi)開(kai)關(guan)(guan)器件的電壓和(he)電流變化(hua)率大(da)大(da)提高，從而(er)產生較大(da)的干(gan)擾(rao)，嚴重(zhong)的將(jiang)使(shi)整個裝置無(wu)法工作，因此(ci)必須統籌兼(jian)顧。

柵極電阻功(gong)率的計(ji)算：

柵極(ji)電阻的(de)功(gong)率(lv)由(you)IGBT柵極驅動(dong)(dong)的功率(lv)(lv)決定，一(yi)般(ban)來說柵極電阻(zu)的總功率(lv)(lv)應至少是(shi)柵極驅動(dong)(dong)功率(lv)(lv)的2倍。

MOS柵極驅動功率P＝FUQ，其(qi)中(zhong)： F為工作頻率；

U為驅動輸出電壓的峰峰值；

Q為柵(zha)極(ji)電(dian)荷，可參(can)考IGBT模塊參數手(shou)冊。

R9并(bing)聯再MOS柵極(ji)和(he)源極(ji)之間，這個電阻一般取10-100K，防止在未接驅(qu)動引線的情況(kuang)下，或者受到靜電干擾(rao)，偶(ou)然加高(gao)壓(ya)，誤導通(tong)而燒毀MOS。

↑↑↑上圖紅框部分：

  這里(li)就是RDC吸(xi)收部分了，MOS關(guan)斷后，即退(tui)磁(ci)期間，變壓器3腳(jiao)對地會(hui)產生(sheng)一個(ge)很高的電壓尖峰，這個(ge)電壓尖峰加(jia)在MOS管上(shang)如果超出MOS耐壓，則會燒壞(huai)MOS，二來，會(hui)產生很(hen)強的電磁(ci)干擾。一(yi)般電容取(qu)1-3.3nF，電阻取幾百K，二極(ji)管一般選(xuan)慢恢復(fu)的，下面跟大家分(fen)享一下我以(yi)前收藏的：“普通二極(ji)管與快恢復(fu)二極(ji)管的振(zhen)鈴吸收特性(xing)對比(bi)”

  一、分別測(ce)量(liang)兩個電(dian)(dian)源的(de)(de)振鈴吸收電(dian)(dian)路中電(dian)(dian)容上(shang)的(de)(de)電(dian)(dian)壓(ya)波形

1 號電源(yuan)模塊(kuai)的振鈴吸收電路(lu)由(you)RS1M 快恢(hui)復二極管、1000v1000p 瓷片電容和200k 貼片電阻組(zu)成，下(xia)圖(tu)是1 號(hao)電(dian)源的(de)(de)振鈴吸(xi)收電(dian)路和示(shi)波(bo)器(qi)接入方(fang)法（示(shi)波(bo)器(qi)的(de)(de)地(di)線(xian)接整流濾波(bo)后的(de)(de)正極，探頭(tou)接吸(xi)收電(dian)路的(de)(de)中間；如果示(shi)波(bo)器(qi)的(de)(de)地(di)線(xian)接電(dian)源負極，則測得的(de)(de)電(dian)壓增加300 多V，測量精度(du)也下降不少）

測得電壓波形如下

場(chang)管截斷(duan)前(qian)，電(dian)容上的電(dian)壓高于電(dian)源電(dian)壓約99v，當場管截斷時，振(zhen)鈴電壓會將1000pF 電容充電到約(yue)142v，也就是電容上(shang)的電壓上(shang)升約43v，但該(gai)電(dian)壓在波(bo)峰(feng)后的192ns 時間(jian)內下降約(yue)33v 到約109v，然后間歇期放電到約99v，迎接(jie)下(xia)一(yi)個振鈴波峰的(de)到來(lai)。電(dian)容上電(dian)壓快(kuai)(kuai)(kuai)速(su)下(xia)降的(de)原因(yin)肯定是快(kuai)(kuai)(kuai)速(su)放(fang)電(dian)，而快(kuai)(kuai)(kuai)速(su)放(fang)電(dian)只能通過(guo)快(kuai)(kuai)(kuai)恢復二極管RS1M，也(ye)就是說，雖然是快恢復二極管，但也(ye)存在反(fan)應時間（查資料得RS1M 的最大恢復(fu)時間為0.5μs），在本次測量(liang)中，是(shi)在192ns 時(shi)間(jian)內，二極(ji)管PN 結(jie)內的載流子尚未消失，所以可以反(fan)向導電，將波峰時給電容充(chong)的電釋放約3/4，因為(wei)此時(shi)的釋放，初(chu)級是回路的一部分，此時(shi)初(chu)級回路加反向(xiang)電(dian)流，其(qi)感應是增大了次級正(zheng)向(xiang)電(dian)流，所以(yi)這3/4 是被電路回(hui)收利(li)用了(le)的，另(ling)外的1/4 在間歇期釋放，這(zhe)部分是損(sun)耗。這(zhe)個電源電路的工作頻率約63kHz，周期約16μs，振鈴脈(mo)沖占不到1μs，也就(jiu)是在約15μs 的時(shi)間(jian)，1000pF電容放電約(yue)9.5v，在平均電(dian)壓約(yue)104v 下，200k 電(dian)阻可以將1000pF 電容放電104v/200k*15μs/1000pF=7.8v，實測是下(xia)降約(yue)10v，相差的約(yue)2v 可考慮為快恢復二極管的(de)結電容影響以及測(ce)量誤差(cha)。從這幾(ji)個數(shu)值也可以求出(chu)振鈴(ling)吸收電路中電阻消耗的(de)功率(lv)，電阻上的(de)平(ping)均電壓為104v，消耗功率P=104*104/200000=0.054w，電容上另有(you)約0.012w 的功率通過PN 結電容釋放(fang)，這部分主要在開關(guan)管上損(sun)耗。

2 號電源的振鈴吸收電路是普通整流二極管M7、1000v 1000p 瓷片電容(rong)和150k 貼(tie)片(pian)電阻組(zu)成，吸收(shou)電路電容上的電壓(ya)波形如(ru)下

2 號電(dian)(dian)(dian)源的(de)頻(pin)率約48kHz，周(zhou)期約21μs，可見由于(yu)周(zhou)期更長，電(dian)(dian)(dian)阻更小，電(dian)(dian)(dian)容上(shang)的(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)下降(jiang)(jiang)更多(duo)，約15v，同(tong)時，由于(yu)第(di)一(yi)個振(zhen)鈴波(bo)峰(feng)過(guo)去后，振(zhen)鈴波(bo)谷時電(dian)(dian)(dian)容上(shang)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)下降(jiang)(jiang)較多(duo)，出現了較為明顯的(de)第(di)二個振(zhen)鈴波(bo)峰(feng)。

二、拆除振鈴吸收電路的電阻

以前見(jian)過有的(de)電(dian)(dian)(dian)路(lu)上的(de)振(zhen)鈴吸(xi)收電(dian)(dian)(dian)路(lu)只有二極管和電(dian)(dian)(dian)容，也見(jian)過某廠家在(zai)網上宣稱他(ta)們(men)的(de)振(zhen)鈴吸(xi)收電(dian)(dian)(dian)路(lu)無損耗但沒公開電(dian)(dian)(dian)路(lu)，懷(huai)疑是不是就是不用電(dian)(dian)(dian)阻，為了試(shi)試(shi)能(neng)不能(neng)完全依靠二極管恢復期間的(de)反向電(dian)(dian)(dian)流來對電(dian)(dian)(dian)容進行放電(dian)(dian)(dian)，把(ba)電(dian)(dian)(dian)路(lu)中(zhong)的(de)電(dian)(dian)(dian)阻拆除測試(shi)，發(fa)現電(dian)(dian)(dian)容的(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)被充(chong)得很高，幾乎沒有波(bo)動，而(er)IC 的(de)輸(shu)出端振(zhen)鈴電(dian)(dian)(dian)壓(ya)高達184v，波(bo)形如下

三、將振鈴吸收電(dian)路的電(dian)阻增大

將 1 號電源的200k 電阻換成510k，測得振(zhen)鈴吸(xi)收電(dian)路(lu)電(dian)容(rong)上的電(dian)壓波形如下，可(ke)見電(dian)容(rong)上的電(dian)壓提(ti)高(gao)不少(shao)，振(zhen)鈴電(dian)壓也提(ti)高(gao)約6v，振鈴前后(hou)的電壓差也減小約4v，可見(jian)振鈴吸收電路的效果(guo)減小(xiao)，損耗也(ye)減小(xiao)

將2 號(hao)電(dian)(dian)(dian)源的(de)150k 電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)換(huan)成510k，振鈴(ling)吸收電(dian)(dian)(dian)路電(dian)(dian)(dian)容(rong)上的(de)電(dian)(dian)(dian)壓波(bo)形(xing)如下(xia)(xia)。換(huan)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)前(qian)，振鈴(ling)脈(mo)沖(chong)最高電(dian)(dian)(dian)壓約112v，但(dan)捕(bu)捉到(dao)(dao)(dao)的(de)112v 脈(mo)沖(chong)極少(shao)，捕(bu)捉到(dao)(dao)(dao)的(de)高值以111v 為主(zhu)，換(huan)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)后(hou)，振鈴(ling)脈(mo)沖(chong)最高電(dian)(dian)(dian)壓仍為112v，捕(bu)捉到(dao)(dao)(dao)的(de)112v 脈(mo)沖(chong)較多(duo)，也就是說，把150k 電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)換(huan)成510k 后(hou)，振鈴(ling)電(dian)(dian)(dian)壓提高大(da)約1v，而振鈴(ling)前(qian)的(de)電(dian)(dian)(dian)壓由約68v（最低(di)67v）提高到(dao)(dao)(dao)了約76v，電(dian)(dian)(dian)壓差由約15v 下(xia)(xia)降到(dao)(dao)(dao)約6v。可(ke)見，適當增大(da)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)后(hou)，振鈴(ling)波(bo)峰并沒有明(ming)顯(xian)上升，但(dan)損耗(hao)明(ming)顯(xian)下(xia)(xia)降。第二個振鈴(ling)波(bo)峰明(ming)顯(xian)減小，但(dan)仍明(ming)顯(xian)，應(ying)該可(ke)以將電(dian)(dian)(dian)阻(zu)(zu)(zu)再適當增大(da)。

四、更(geng)換1 號(hao)電源振鈴(ling)吸收電路的(de)二極管

將 1 號(hao)電(dian)(dian)源振(zhen)(zhen)鈴吸收(shou)電(dian)(dian)路的快恢復二極(ji)管RS1M 換成普通(tong)整流二極(ji)管1N4007（參數同M7），振(zhen)(zhen)鈴峰值約140v，比(bi)原(yuan)電(dian)(dian)路下(xia)降(jiang)近(jin)2v，振(zhen)(zhen)鈴前(qian)后的電(dian)(dian)壓差約5v，比(bi)原(yuan)來減(jian)少一半，也就是(shi)損(sun)耗(hao)下(xia)降(jiang)約一半。在平均電(dian)(dian)壓約99v 下(xia)，510k電(dian)(dian)阻可以將1000pF 電(dian)(dian)容放電(dian)(dian)99v/510k*15 μ s/1000pF=2.9v， 消耗(hao)功率為(wei)99v*99v/510kΩ=0.019w，實測是(shi)下(xia)降(jiang)約5.2v，應(ying)該是(shi)二極(ji)管PN 結(jie)電(dian)(dian)容放電(dian)(dian)的結(jie)果，損(sun)耗(hao)約0.015w。

實際(ji)設(she)計(ji)中，電(dian)(dian)(dian)阻(zu)的(de)(de)選擇應使振鈴脈沖(chong)(chong)前后(hou)電(dian)(dian)(dian)容的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)盡量(liang)接(jie)近(jin)次級工(gong)作時開關管的(de)(de)漏極(ji)（或集電(dian)(dian)(dian)極(ji)）電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，若振鈴前的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)較低(di)，則應增大電(dian)(dian)(dian)阻(zu)以減小(xiao)損耗，若電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)較高，應減小(xiao)電(dian)(dian)(dian)阻(zu)以降低(di)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，降低(di)脈沖(chong)(chong)電(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)。

五、小結(jie)

本(ben)次實驗(yan)可以得(de)到(dao)三(san)個結(jie)論：

1、振鈴吸(xi)收電路是不能省略(lve)電阻的；

2、普(pu)通整流二極(ji)管(guan)用于(yu)振鈴吸收(shou)電(dian)路(lu)效果比(bi)快恢復(fu)二極(ji)管(guan)好；

3、適當增大振鈴(ling)(ling)吸(xi)收(shou)電路的電阻可以(yi)在不明顯影響振鈴(ling)(ling)吸(xi)收(shou)的前(qian)提下(xia)減(jian)小損(sun)耗。

師長，我是31號才開貼的，給我留點時間哇

↑↑↑上(shang)圖紅框部分：

兩個Y電容，為高(gao)頻干擾提供泄放(fang)回(hui)路(lu)

前段(duan)時間有(you)個新(xin)聞：一(yi)女(nv)子(zi)手(shou)機在充電，自(zi)動定(ding)了個萬元套房(fang)。

后(hou)來查(cha)證為充電器劣質，變壓器初次級沒有Y電容，高頻噪聲(sheng)影響了電容屏(ping)的檢測，導致(zhi)連續誤操作。

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下面講講這個電(dian)路工作原(yuan)理：

(1) 工作(zuo)模式：DCM模(mo)式，以實現(xian)THD<8%；

MOS管的(de)關斷(duan)時間Toff受反饋環路（即COMP腳電壓）控制(zhi)，Vcomp越高，Ton越大，二(er)者(zhe)是正比關系，一旦Toff確定，它將不隨交流(liu)輸入電壓相位角變化(hua)；

在外部MOS 管(guan)的(de)導通(tong)時間(jian)內，原邊電流會(hui)從0mA線性增加到峰(feng)值，該電流通過感應(ying)電阻由(you)CS 腳(jiao)檢(jian)測。當原邊電(dian)流達到閥值極限(xian)，MT7932 會(hui)立即關閉(bi)MOS 管。當副邊電流耗(hao)盡時(shi)，會再次開啟(qi)MOS 管(guan)。峰值電(dian)流的閥(fa)值會跟蹤整流后的母線(xian)電(dian)壓的正(zheng)弦(xian)波形(xing)。因(yin)此，電(dian)感(gan)電(dian)流的包絡也是正(zheng)弦(xian)波形(xing)，因(yin)而可實現高功率因(yin)數。

（2）恒流原(yuan)理： 芯片CS腳檢測(ce)變壓器初級線圈的峰值(zhi)電流，DSEN腳(jiao)檢(jian)測(ce)變(bian)壓器(qi)（次級線圈(quan)）的退磁時間，通過內部運(yun)算電(dian)(dian)路，實時地檢(jian)測(ce)出(chu)輸出(chu)電(dian)(dian)流，然后(hou)經過COMP腳電容進(jin)行平均運算，將這一(yi)信(xin)號與芯(xin)片內部的參考電壓(ya)（Vfb=0.40V）比較(jiao)，并由此確定Toff。因此，整個電源工作(zuo)在負反饋系統中，芯片(pian)能夠(gou)準確控(kong)制輸(shu)出電流的大小。

(3) 一致性(xing)：輸(shu)出電流只與芯片內部基準Vfb (400mV)、采樣(yang)電阻Rs相關(guan)，無論輸入電壓、輸出(chu)電壓、變壓器的Lp發生(sheng)任何變化，芯片都(dou)可以調整MOS管導通(tong)時間(jian)Ton，保證輸出(chu)電流不變，批量生產一致性(xing)好；

(4) 開關頻(pin)率(lv)：芯(xin)片的Ton由反(fan)饋環路決定，Toff由變壓器次(ci)級線(xian)圈的退(tui)磁時間決(jue)定，

因此工(gong)作(zuo)頻率并不固(gu)定。總體來講，頻率范(fan)圍是（40Khz -- 150Khz）。

  （5）過壓保護：DSEN 腳電(dian)壓高于3.2V 且發生三次，則被判定為輸出開路。芯片將關閉 PWM 開關信號，VDD 電壓逐(zhu)漸(jian)降至UVLO 閾值，并進入重啟模式。

  （6）短路保護：如果DSEN 腳電壓在關斷時間內低(di)于400mV，并持(chi)續5~10 毫秒(miao)，則(ze)開(kai)啟短路保護功能(neng)。PWM 驅(qu)動信號將停(ting)止(zhi)。當VDD 電(dian)壓逐漸(jian)降至(zhi)低(di)于UVLO 閾值時(shi)，系統(tong)將進入重(zhong)啟模式。 上述重(zhong)啟(qi)過(guo)程(cheng)將一直重(zhong)復(fu)，直到短路消(xiao)除。

  （7）過流保護：一旦CS 腳電壓超過(guo)2.0V，MT7932 將立(li)即(ji)關斷功率MOS 管。這(zhe)種逐周期(qi)過(guo)流檢測(ce)的(de)方(fang)式(shi)保護了相(xiang)關的(de)元(yuan)件免(mian)于損(sun)壞(huai)，如功率MOS 管，變壓器等等。

  變壓(ya)器的計算：

輸(shu)入電(dian)壓、電(dian)流均為正玄(xuan)波(bo)，所以變壓器(qi)需要積分半個工(gong)頻周期(qi)能量來計算，公(gong)式較為復(fu)雜，在這里就不詳細說了(le)，我這里有設(she)計工(gong)具，有興趣的朋(peng)友可以跟我要。

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↑↑↑PCB圖，元器件不多，用的(de)單面(mian)板(ban)。

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線性調(diao)整率、效(xiao)率、PF、THD：

  負載(zai)調整率：

  EMI測試：

  短路測試

110Vac/230Vac 輸入，輸出接36V LED，在下(xia)列情況下(xia)：

先短路輸出(chu)端，再給電源板通電；

先給(gei)電源板通電，再短路輸出端(duan)；

測試結果：電源板沒有元器件損(sun)壞(huai)，此時輸(shu)入平(ping)均(jun)功(gong)率小于0.5W；

取消短路狀(zhuang)態(tai)，電(dian)源板(ban)可以恢復正(zheng)常工作(zuo)。

  開路測(ce)試(shi)

110Vac/230Vac 輸入，輸出接36V LED，以下兩(liang)種情(qing)況下：

先讓電源板(ban)正常工作，然后斷開輸出負載；

先讓負載開路，再給電(dian)源(yuan)板通電(dian)；

測(ce)試結果：電(dian)源板(ban)沒(mei)有元器件損壞，此(ci)時輸(shu)入平(ping)均功率小于0.5W，輸出電壓小于49V；

取消開路狀態，電源板可以恢復正常工作。

板子(zi)實物圖：

旁邊(bian)的小板(ban)做(zuo)什么(me)的？這是一(yi)個簡易去(qu)紋波電路，由于時間關(guan)系(xi)，沒有(you)整合到(dao)一(yi)塊線路板(ban)上。

只調試環路(lu)來實現紋波低于3%，在這種單級(ji)PFC線路(lu)上(shang)是絕對不可能實現的（有不服(fu)的請拿(na)出實物及測試報(bao)告來反駁），

在饅頭波接近谷底時(shi)，母(mu)線電壓很低，要想在此時(shi)維持波峰相(xiang)同的能(neng)量輸出，那此時(shi)輸入電流必(bi)然(ran)增(zeng)加而導致畸變(bian)，

電流畸變(bian)會導(dao)致(zhi)PF降低，隨之THD就(jiu)不能保(bao)證小(xiao)于(yu)8%。

單級PFC紋波要低于20%的話(hua)，還是比(bi)較好調的。

輸出紋(wen)波測試，實際紋(wen)波約(yue)為2.8%

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結帖(tie)

消除頻閃是怎么(me)做(zuo)到(dao)的？

壓敏放在工(gong)字(zi)電(dian)(dian)感(gan)之后，優于工(gong)字(zi)電(dian)(dian)感(gan)之前；

浪(lang)涌尖峰到來(lai)時(shi)，壓敏(min)瞬(shun)間導通，電感放在前面對(dui)浪(lang)涌有(you)抑制作用，效果非常明顯(xian)；

我測試過，相同的(de)元(yuan)器件(jian)參數(shu)的(de)情況下，放在工(gong)字電感之后浪涌電壓(ya)可以打得更(geng)高。

去頻閃(shan)電路的電路圖呢？

那再補充一點吧，去紋波有兩種方式(shi)：

1.用(yong)帶控制器驅動MOS：優點可(ke)以實現(xian)(xian)自適應(ying)，比(bi)如(ru)有些需要調光(guang)的(de)產品，通(tong)過檢測(ce)MOS源極電(dian)阻上的(de)電(dian)壓，就(jiu)可(ke)以實現(xian)(xian)自適應(ying)了。缺點太貴。

2.分立元器件(jian)：優點成本低，是需要三顆元器件(jian)，缺點就是自適(shi)應差。

上(shang)圖就是(shi)帶控制器的去(qu)紋波(bo)電路，芯片CS腳(jiao)采樣(yang)紋波(bo)電流，內部積(ji)分處理(li)后(hou)轉換成一個(ge)電壓落在(zai)芯片三腳(jiao)，根(gen)據電壓高低調整(zheng)DRV腳(jiao)電壓，實現自適應去(qu)紋波(bo)

在這轉換之間會有(you)(you)一(yi)點延(yan)遲，但是一(yi)般紋波(bo)頻(pin)率都(dou)很(hen)低，100Hz，周期時間長，所以沒有(you)(you)關系。

芯片第6腳(jiao)，只做短路保護用。

這就是分立器件的去文波電路了。

這里的管(guan)子當可(ke)變電阻用是吧？