今天我來討論一下對于反激電源次級同步整流芯片工作那些事, 我這里問大家幾個問題,對于一下幾個問題來討論
1、問大家次級同步整流要求PSR架構的電源和SSR架構的電源那個對同步整流芯片精度要求高?
2、同步整流使用的MOS,是RDS-on值越小效率越高嗎?
今天我來討論一下對于反激電源次級同步整流芯片工作那些事, 我這里問大家幾個問題,對于一下幾個問題來討論
1、問大家次級同步整流要求PSR架構的電源和SSR架構的電源那個對同步整流芯片精度要求高?
2、同步整流使用的MOS,是RDS-on值越小效率越高嗎?
最有點忙閑暇時刻回答一下第一個問題
1、問大家次級同步整流要求PSR架構的電源和SSR架構的電源那個對同步整流芯片精度要求高?
這里我的回答是PSR架構的對同步整流要求高,特別是同步整流關斷點的要求,這里我用一個波形來說一下。
如果出現下圖情況的同步整流提前關斷這時次級去磁還沒有結束同步整流都已關閉,次級開同步整流的寄生二極管來導通,這時就會出現FB采樣一段是mos導通和一段是寄生二極管導通時間,引起FB采樣錯誤情況出現造成輸出電壓有波動。關斷點的因主要兩個地方影響①是芯片關斷點(VTH-off)的值越接近于0關斷越晚,②同步MOS導通阻值阻值越小關斷點越提前。
2、同步整流使用的MOS,是RDS-on值越小效率越高嗎?
同步整流使用的MOS,是RDS-on值越小效率越高這個不是絕對的,這里來回答大多數同步整流芯片都有一個VTH-OFF值,這個值決定你選擇MOS的時候MOS的RDS-on導通電阻,這里我們假設VTH-Off=-5mV, 那么VTH-Off/RDS-on就等結束時同步整流MOS上的電流,后面電流工作的去磁就要通過MOS的寄生二極管導通,這里如果RDS-on越小用MOS的寄生二極管導通電流越大,這樣一下RDS-on小的效率反而沒有RDS-on大的好,選著合適RDS-on的MOS,既能解決效率問題又能解決成本問題。