半橋驅動波形和變壓器原邊波形

LV.1

2020-05-28 12:23

測量上管需要隔離，因為當示波器的探頭夾到S的時候，另一個探頭加到下管S，這樣上管S通過示波器內部與地鏈接了，導致Vgs電壓增大，因為是G與地的電壓，導致擊穿

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LV.1

2020-05-29 10:05

@dy-g3Gxyp52

測量上(shang)管需要隔離，因為(wei)當示波器的探頭夾到S的時候(hou)，另一個探頭加到下管S，這樣上(shang)管S通(tong)過示波器內部與地(di)(di)鏈接了，導(dao)致Vgs電(dian)壓(ya)增大，因為(wei)是G與地(di)(di)的電(dian)壓(ya)，導(dao)致擊穿

如果(guo)測半橋的變(bian)壓器原邊電壓波形，是不是也需要(yao)用隔離探頭(tou)？

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LV.1

2020-05-29 12:43

@dy-pnIwBsbI

如果(guo)測(ce)半(ban)橋的變壓器原邊電壓波形，是不是也(ye)需(xu)要用隔(ge)離探頭(tou)？

如果只使用一個通道，示波器的電源地線不要接用一般探頭也可以，但是不要用另一個通道測量其他信號

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LV.1

2020-05-29 15:22

@dy-g3Gxyp52

如果只使用(yong)一(yi)個(ge)通道，示波器的電源地(di)線不(bu)要接用(yong)一(yi)般探頭也可以(yi)，但是(shi)不(bu)要用(yong)另(ling)一(yi)個(ge)通道測量其他(ta)信號

見識了，謝謝

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LV.1

2020-05-29 15:38

@dy-pnIwBsbI

見識了，謝謝

今(jin)天(tian)測(ce)量結果，下管關斷(duan)后變(bian)壓器原(yuan)邊波形(xing)振蕩，是(shi)什(shen)么原(yuan)因(yin)引起(qi)的？是(shi)變(bian)壓器的漏感太(tai)大，還是(shi)走線不合理？怎么消除呢(ni)？

這是(shi)新(xin)變壓器的波形，原邊21匝(za)，電感(gan)量0.7mH，漏(lou)感(gan)2.6uH。副邊7匝(za)，帶中心(xin)抽頭

本來(lai)有走線(xian)截圖的，結果上傳走線(xian)圖片后(hou)，提示含(han)有違禁詞，禁止(zhi)提交。。。

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LV.1

2020-05-29 18:47

@dy-g3Gxyp52

測量上(shang)(shang)管(guan)需要隔離(li)，因為當(dang)示(shi)波(bo)器的(de)探頭夾到S的(de)時候，另一個(ge)探頭加到下(xia)管(guan)S，這樣上(shang)(shang)管(guan)S通過示(shi)波(bo)器內部與(yu)地(di)鏈接了，導致Vgs電(dian)壓(ya)增大，因為是(shi)G與(yu)地(di)的(de)電(dian)壓(ya)，導致擊穿

主電路上傳一張看一下

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/upload/community/2020/05/30/1590801286-88079.pdf

LV.1

2020-05-30 09:15

@dy-g3Gxyp52

主電(dian)路上傳(chuan)一(yi)張看(kan)一(yi)下(xia)

附件是我根據調(diao)試(shi)結果整理的電路圖。請查(cha)看(kan)

電(dian)路圖和(he)調試電(dian)路板實(shi)物附件所示

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/upload/community/2020/05/30/1590810787-64618.pdf

LV.1

2020-05-30 11:53

@dy-pnIwBsbI

附件(jian)是我(wo)根(gen)據(ju)調(diao)試結果(guo)整理(li)的電(dian)(dian)路(lu)圖。請查(cha)看/upload/community/2020/05/30/1590801286-88079.pdf電(dian)(dian)路(lu)圖和調(diao)試電(dian)(dian)路(lu)板實物附件(jian)所示(shi)/upload/community/2020/05/30/1590802017-41290.docx

附件是原(yuan)邊并聯(lian)RC后的測試波形

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LV.1

2020-05-30 20:27

@dy-pnIwBsbI

附(fu)件(jian)是我根據調(diao)試結(jie)果(guo)整理的(de)電(dian)(dian)路(lu)圖。請查看/upload/community/2020/05/30/1590801286-88079.pdf電(dian)(dian)路(lu)圖和(he)調(diao)試電(dian)(dian)路(lu)板實物附(fu)件(jian)所示/upload/community/2020/05/30/1590802017-41290.docx

我簡單看了一下你(ni)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)路，先(xian)說一下這(zhe)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)尖峰怎么出現(xian)的(de)，當(dang)MOS關斷的(de)時候(hou)，變壓(ya)(ya)(ya)器(qi)初級電(dian)(dian)(dian)(dian)流(liu)會(hui)(hui)對管子(zi)的(de)DS極電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)充電(dian)(dian)(dian)(dian)，由于這(zhe)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)很小，電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)很快會(hui)(hui)充滿，還會(hui)(hui)繼續上升，只有當(dang)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)達(da)到直流(liu)母(mu)線(xian)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)的(de)時候(hou)上管的(de)二極管才會(hui)(hui)開(kai)通(tong)，電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)才能鉗位到直流(liu)母(mu)線(xian)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)，這(zhe)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)能過(guo)沖多少可(ke)以估算一下，就是變壓(ya)(ya)(ya)器(qi)漏感的(de)能量要全部轉移(yi)到DS極電(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)中，可(ke)以計算這(zhe)個(ge)(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)過(guo)沖。

我(wo)看(kan)了你(ni)的(de)(de)MOS管的(de)(de)參數你可以(yi)(yi)降低管(guan)子的(de)關(guan)斷速度(du)，就是(shi)把Rg電(dian)阻增大，死區時間(jian)1us很大了(le)，可以(yi)(yi)減小(xiao)，或者把下管(guan)的(de)DS極并(bing)聯一個小(xiao)電(dian)容(rong)。

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LV.1

2020-06-01 10:03

@dy-g3Gxyp52

我簡單看了(le)一(yi)下你(ni)(ni)的(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)路，先說一(yi)下這(zhe)個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)尖峰怎么(me)出現的(de)，當MOS關斷的(de)時候，變壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)器(qi)(qi)初級電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)流會對管(guan)子(zi)的(de)DS極(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)充(chong)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)，由于這(zhe)個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)很小(xiao)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)很快會充(chong)滿，還(huan)會繼續上升(sheng)，只有當電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)達到(dao)直(zhi)流母線電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)的(de)時候上管(guan)的(de)二極(ji)管(guan)才(cai)會開(kai)通(tong)，電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)才(cai)能(neng)鉗位(wei)到(dao)直(zhi)流母線電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)，這(zhe)個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)能(neng)過(guo)沖多少(shao)可(ke)(ke)以估算(suan)一(yi)下，就是變壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)器(qi)(qi)漏感的(de)能(neng)量要全部轉移到(dao)DS極(ji)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)中，可(ke)(ke)以計算(suan)這(zhe)個(ge)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)壓(ya)(ya)(ya)(ya)(ya)過(guo)沖。我看了(le)你(ni)(ni)的(de)MOS管(guan)的(de)參數你(ni)(ni)可(ke)(ke)以降低管(guan)子(zi)的(de)關斷速(su)度，就是把Rg電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)阻增大，死區時間(jian)1us很大了(le)，可(ke)(ke)以減(jian)小(xiao)，或者把下管(guan)的(de)DS極(ji)并(bing)聯一(yi)個(ge)小(xiao)電(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)(dian)容(rong)(rong)。

先謝過了，我試驗下，把測量結(jie)果發出來，

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LV.1

2020-06-01 14:42

@dy-pnIwBsbI

先(xian)謝過了(le)，我試驗下，把測量(liang)結(jie)果發出來，

我在輸出整流橋(qiao)并聯了22Ω+10nF。出現(xian)關斷后有一個很寬(kuan)的阻(zu)尼振蕩。被體二極管鉗位(wei)。

然后(hou)在原邊并聯50Ω+20nF后(hou)，調壓器輸出(chu)150V，50Ω電(dian)(dian)阻很(hen)快變(bian)黑(hei)(hei)。換成10K電(dian)(dian)阻后(hou)再沒有發現(xian)變(bian)黑(hei)(hei)。

在下(xia)管的(de)DS并聯1nF，0.5nf,0.3nf電容(rong)后，出現上管導(dao)通時下(xia)管也接近導(dao)通。

見附件圖3

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LV.1

2020-06-01 18:26

@dy-pnIwBsbI

我在(zai)輸出(chu)整(zheng)流橋并聯(lian)了(le)22Ω+10nF。出(chu)現關(guan)斷后(hou)有(you)(you)一個很(hen)寬(kuan)的(de)阻(zu)尼振蕩(dang)。被體(ti)二極管(guan)鉗位(wei)。然后(hou)在(zai)原(yuan)邊并聯(lian)50Ω+20nF后(hou)，調壓(ya)器輸出(chu)150V，50Ω電(dian)阻(zu)很(hen)快變黑。換(huan)成10K電(dian)阻(zu)后(hou)再沒有(you)(you)發現變黑。在(zai)下管(guan)的(de)DS并聯(lian)1nF，0.5nf,0.3nf電(dian)容后(hou)，出(chu)現上管(guan)導(dao)通時下管(guan)也接近導(dao)通。見附件圖(tu)3/upload/community/2020/06/01/1590993732-13155.docx

你的那個黃色是上管gs電壓嗎，那藍色是那個電壓，當原邊并聯RC的時候，R要消耗功率，P=(1/2*C*V^2)*f, f是工作頻率，每一次都要通過R對電容充電，當電阻是10K的時候，時間常數RC=200us,這個時間常數應該比你的開關周期大很多了，在一個工作周期電容是沒有充多少電，所以V很小，所以R上消耗的功率減小，就不會燒了，要想讓C充滿電，那RC<1/3T,T是你電路的工作周期。當上管導通的時候，下管的D極電壓變化，這個變化率會在下管的g極產生一個電壓，你可以測一下這個電壓有多少，看是否大于VT了，我的建議是兩個管子的Rg電阻都增大一點，16歐姆有點小

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LV.1

2020-06-02 07:59

@dy-g3Gxyp52

你(ni)的(de)那個(ge)黃色(se)是(shi)上管gs電(dian)壓嗎，那藍色(se)是(shi)那個(ge)電(dian)壓，當原(yuan)邊并聯RC的(de)時(shi)候，R要消(xiao)耗(hao)功(gong)(gong)率(lv)(lv)，P=(1/2*C*V^2)*f, f是(shi)工(gong)作頻率(lv)(lv)，每一次都要通過R對電(dian)容充電(dian)，當電(dian)阻是(shi)10K的(de)時(shi)候，時(shi)間(jian)常數RC=200us,這個(ge)時(shi)間(jian)常數應該比你(ni)的(de)開關周期大很(hen)多(duo)(duo)了，在一個(ge)工(gong)作周期電(dian)容是(shi)沒有充多(duo)(duo)少電(dian)，所以V很(hen)小，所以R上消(xiao)耗(hao)的(de)功(gong)(gong)率(lv)(lv)減小，就不(bu)會燒了，要想(xiang)讓(rang)C充滿(man)電(dian)，那RC

感謝回帖

1.黃色波形是下管對地驅動信號(hao)(DC耦合(he)(he)）。藍色是變(bian)壓器(qi)上端對地信號(hao)(AC耦合(he)(he))。

2.柵(zha)極電(dian)阻已(yi)經(jing)改(gai)成(cheng)33Ω了(le)

3.我再試下

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LV.1

2020-06-08 08:56

@dy-g3Gxyp52

你的那個(ge)黃色是上管gs電(dian)壓(ya)嗎，那藍色是那個(ge)電(dian)壓(ya)，當原邊并聯(lian)RC的時候，R要消(xiao)耗功(gong)率，P=(1/2*C*V^2)*f, f是工(gong)作頻率，每一次都要通過(guo)R對電(dian)容充(chong)電(dian)，當電(dian)阻是10K的時候，時間常數RC=200us,這(zhe)個(ge)時間常數應該比(bi)你的開(kai)關周期大(da)很多(duo)了(le)，在一個(ge)工(gong)作周期電(dian)容是沒有充(chong)多(duo)少電(dian)，所(suo)以V很小，所(suo)以R上消(xiao)耗的功(gong)率減小，就不會(hui)燒了(le)，要想(xiang)讓C充(chong)滿(man)電(dian)，那RC

我按(an)照您(nin)提供(gong)的計算方法，發現使(shi)用22nF時，電(dian)(dian)阻消耗的功率=36W，就不奇怪2W的電(dian)(dian)阻會(hui)燒(shao)毀(hui)。我用33nF+4個100R/5W電(dian)(dian)阻組(zu)成(cheng)一個100R電(dian)(dian)阻，4個電(dian)(dian)阻在輸入高壓后都被燒(shao)黑(hei)了。應該換更小的電(dian)(dian)容，以(yi)減小電(dian)(dian)阻消耗的功率，并(bing)考慮(lv)T>3RC？

如使用1nF時，電阻消耗的功率=1/2*1n*300*300*40K≈2W。按照R

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2020-06-08 10:15

@dy-pnIwBsbI

今天測量(liang)結果，下(xia)管關斷后(hou)變(bian)(bian)壓(ya)器(qi)原邊波(bo)形振(zhen)蕩，是(shi)什么原因引起(qi)的？是(shi)變(bian)(bian)壓(ya)器(qi)的漏感(gan)太大(da)，還是(shi)走線(xian)不(bu)合(he)理？怎么消(xiao)除呢？[圖(tu)(tu)片]這是(shi)新(xin)變(bian)(bian)壓(ya)器(qi)的波(bo)形，原邊21匝，電感(gan)量(liang)0.7mH，漏感(gan)2.6uH。副邊7匝，帶中心抽頭[圖(tu)(tu)片]本來有(you)走線(xian)截圖(tu)(tu)的，結果上傳走線(xian)圖(tu)(tu)片后(hou)，提示含有(you)違(wei)禁詞，禁止提交。。。

輕載時這種波形很正常啊，沒什么問題。

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LV.1

2020-06-11 13:32

@qinzutaim

輕載時(shi)這種(zhong)波(bo)形很(hen)正常啊，沒什么問題。

可是上電后磁芯發熱很快。今天又測了下，上電后十分鐘內，使用紅外槍測量得到磁芯溫度從室溫約28℃上升到90℃。

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2020-06-12 08:09

@dy-pnIwBsbI

可是上(shang)電后磁芯(xin)發熱很快。今天又測(ce)了(le)下，上(shang)電后十分鐘(zhong)內，使用紅(hong)外槍測(ce)量得到磁芯(xin)溫度從室溫約28℃上(shang)升到90℃。

空載溫升還是帶載溫升？帶載的話就是變壓器設計或整機散熱的問題了。

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LV.1

2020-06-12 16:56

@qinzutaim

空載溫升還是帶載溫升？帶載的(de)(de)話就是變壓器(qi)設計或整機散熱的(de)(de)問(wen)題了。

多謝回復

我在輸出端接了(le)個(ge)10K/2W金屬膜電(dian)阻作為負載。最高(gao)輸出42V。

還做(zuo)了(le)一(yi)個(ge)原邊(bian)21匝，7根0.5，副,7匝，5根0.5，原邊(bian)電感量0.2mH(這個(ge)電感量是(shi)不是(shi)太小了(le)？)。波形也是(shi)這樣。磁芯升溫很快。

之前有做(zuo)過一個2.8mH的變壓器。原(yuan)邊29匝，2根(gen)0.5，副邊7匝，3根(gen)0.5，同樣的負載(zai)，磁芯只有微(wei)弱的溫升，但是波形很(hen)爛(lan)，關斷期間有幅度很(hen)大的振蕩波形。

請問這(zhe)是(shi)什么原因產(chan)生的呢(ni)？是(shi)漏(lou)感和MOS的電容產(chan)生了諧振？該怎(zen)么消除(chu)呢(ni)？

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2020-06-12 17:00

@dy-pnIwBsbI

多(duo)謝回復我在(zai)輸(shu)出端(duan)接(jie)了(le)(le)個(ge)(ge)10K/2W金屬膜電阻作為負載(zai)。最高(gao)輸(shu)出42V。還(huan)做了(le)(le)一(yi)個(ge)(ge)原(yuan)邊(bian)21匝(za)(za)，7根0.5，副,7匝(za)(za)，5根0.5，原(yuan)邊(bian)電感(gan)量0.2mH(這(zhe)個(ge)(ge)電感(gan)量是(shi)不是(shi)太(tai)小了(le)(le)？)。波形也是(shi)這(zhe)樣(yang)。磁芯(xin)升溫(wen)很快。之前有(you)做過一(yi)個(ge)(ge)2.8mH的(de)(de)變(bian)壓器。原(yuan)邊(bian)29匝(za)(za)，2根0.5，副邊(bian)7匝(za)(za)，3根0.5，同樣(yang)的(de)(de)負載(zai)，磁芯(xin)只(zhi)有(you)微弱的(de)(de)溫(wen)升，但是(shi)波形很爛，關(guan)斷期間有(you)幅(fu)度很大的(de)(de)振蕩波形。/upload/community/2020/06/12/1591952027-29509.pdf請(qing)問這(zhe)是(shi)什(shen)么原(yuan)因產生的(de)(de)呢(ni)？是(shi)漏感(gan)和MOS的(de)(de)電容產生了(le)(le)諧振？該怎么消除(chu)呢(ni)？

什么變壓器啊？21匝只有200uH ？這類變壓器一般不用開氣隙的。輕載波形都會振蕩的。

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LV.1

2020-06-12 19:33

@qinzutaim

什么變壓(ya)器啊？21匝只(zhi)有(you)200uH ？這類變壓(ya)器一般不用開氣隙的(de)。輕載波形都(dou)會振蕩的(de)。

謝謝回復，

1.這個變壓器(200uH)的(de)原邊(bian)分(fen)為兩層(ceng)(ceng)(ceng)繞，內層(ceng)(ceng)(ceng)3根(gen)，外層(ceng)(ceng)(ceng)4根(gen)。測量(liang)原邊(bian)電(dian)感量(liang)200uH。我(wo)當時把外層(ceng)(ceng)(ceng)繞組去掉，測電(dian)感量(liang)有2.8mH。應該是外邊(bian)這一層(ceng)(ceng)(ceng)繞組的(de)問題。

2.這個(ge)振蕩(dang)波(bo)形也正常嗎？意思是加大負載(zai)后振蕩(dang)會自動衰減？我再找個(ge)更大的負載(zai)試下看。

3.這個(ge)磁芯沒有磨氣(qi)隙，也沒有墊氣(qi)隙。買來后直(zhi)接(jie)裝(zhuang)的

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2020-06-13 09:08

@dy-pnIwBsbI

謝(xie)謝(xie)回復，1.這個(ge)(ge)變壓器(qi)(200uH)的原邊(bian)分(fen)為(wei)兩層(ceng)(ceng)繞，內層(ceng)(ceng)3根，外層(ceng)(ceng)4根。測(ce)量原邊(bian)電(dian)感量200uH。我當時把外層(ceng)(ceng)繞組(zu)去(qu)掉，測(ce)電(dian)感量有2.8mH。應該是(shi)外邊(bian)這一層(ceng)(ceng)繞組(zu)的問(wen)題(ti)。2.這個(ge)(ge)振(zhen)蕩(dang)波形也正常嗎(ma)？意思是(shi)加大(da)負載后(hou)振(zhen)蕩(dang)會自動衰減？我再找(zhao)個(ge)(ge)更大(da)的負載試下看(kan)。3.這個(ge)(ge)磁(ci)芯沒(mei)(mei)有磨氣隙，也沒(mei)(mei)有墊(dian)氣隙。買來后(hou)直接裝的

估計是外層繞反了。

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LV.1

2020-06-16 14:33

@qinzutaim

估計是(shi)外(wai)層繞(rao)反了(le)。

今天試驗了1.4mH變壓器，原邊15匝，7根0.5，副邊7匝，5根0.5，波形如(ru)下

這個該(gai)怎么改？

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2020-06-17 08:40

@dy-pnIwBsbI

今(jin)天試(shi)驗了1.4mH變壓器(qi)，原邊15匝，7根0.5，副邊7匝，5根0.5，波形(xing)如(ru)下/upload/community/2020/06/16/1592289505-70069.pdf這個該(gai)怎(zen)么改？

驅動波形出現前面出現一個尖是硬開關普遍存在的，就是所謂的米勒效應，沒看出上下管共通的波形，要測一下開關管的電流波形才知道，如果有的話加大死區時間。

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LV.1

2020-06-17 11:48

@qinzutaim

驅(qu)動波形(xing)出現(xian)前面出現(xian)一(yi)個尖是(shi)硬開關(guan)普遍存在的(de)(de)，就是(shi)所謂的(de)(de)米勒(le)效(xiao)應，沒看出上下管(guan)共(gong)通的(de)(de)波形(xing)，要測(ce)一(yi)下開關(guan)管(guan)的(de)(de)電流波形(xing)才知道，如果(guo)有的(de)(de)話加(jia)大死區時間(jian)。

謝謝回復。

圖中(zhong)的(de)黃色波形(xing)是下管驅動(dong)波形(xing)。示(shi)波器顯示(shi)在(zai)兩個(ge)(ge)正脈沖(chong)中(zhong)間(jian)(對應于上管驅動(dong)輸出(chu))出(chu)現了一個(ge)(ge)窄脈沖(chong)。我(wo)在(zai)GS之(zhi)間(jian)并(bing)聯了一個(ge)(ge)1nF/1KV電容后測量幅值(zhi)有4V左右。

需要電(dian)流探頭(這個探頭真沒有。)測量(liang)開(kai)關(guan)管(guan)電(dian)流嗎？用電(dian)流互感器轉成(cheng)電(dian)壓測可以(yi)嗎？

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