在PI手冊里看到這樣一個波形,和實際電路測出來的波形也很一致。下面主要來看看這個應力尖峰如何消除。
這是反激電源原邊MOS的應力波形,很經典的一幅圖。簡單來說就是在反激電路中,MOS管關斷之后變壓器會將原邊的能量轉移到副邊。但漏感中的能量卻無法轉移,這部分的能量會在電路中的雜散電容上產生振鈴。
MOS在關斷后,其兩端電壓由三部分組成,輸入電壓最大值Vinmax,副邊折射電壓VoR=N x Vout和振鈴產生的尖峰電壓Vspike。
MOS尖峰必須得到抑制,不能很容易出問題,RCD吸收電路是比較簡單有效,經濟的方案。
MOS開通時刻,能量存儲在勵磁電感Lm和漏感Ls中,當MOS關斷時候,Lm中能量會傳到副邊,但漏感中能量卻不會。
這時候漏感會釋能,D1導通給C1充電,當充電電壓到達Vclamp時,D1截止,C1通過R1放電。因此電阻R需要耗散能量,其封裝選型和Layout應滿足散熱設計。