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針對(dui)BOOST升壓(ya)電路MOS管燒毀的問題，結(jie)合您描述的現象（輸入630V時輸出(chu)670V、LLC后級功率需求突(tu)增導致(zhi)MOS擊穿），以下是可能的原因(yin)分析和解(jie)決(jue)方案：

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### **1. 功率倒灌導(dao)致過流擊(ji)穿**

- **現象匹配**：當LLC輸出功率需求突(tu)然超過輸入(ru)功率時(shi)，可能通過升壓二極管(guan)反(fan)向向BOOST電路倒灌(guan)能量(liang)，導致MOS管(guan)承受異常電流。

- **關(guan)鍵(jian)檢查(cha)點**：

  - **升壓二極(ji)管(guan)選(xuan)型**：確(que)認二極(ji)管(guan)的反(fan)(fan)向恢復(fu)(fu)特性(xing)（如(ru)SiC二極(ji)管(guan)需(xu)低反(fan)(fan)向恢復(fu)(fu)電荷Qrr），若反(fan)(fan)向恢復(fu)(fu)慢(man)可能導致瞬(shun)態(tai)短路。

  - **電(dian)流檢測保(bao)護速度(du)**：檢查BOOST電(dian)路(lu)的電(dian)流保(bao)護環(huan)路(lu)響(xiang)(xiang)應時間是否足夠快(kuai)（100kHz下(xia)需μs級響(xiang)(xiang)應）。

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### **2. 負壓驅動不足或瞬態(tai)誤導通**

- **現象匹(pi)配**：負壓-3V可能在高(gao)dV/dt工況下不足，導(dao)致MOS管因米勒效應(ying)誤導(dao)通(tong)，形(xing)成(cheng)直(zhi)通(tong)短路。

- **解(jie)決方(fang)案**：

  - **增強負壓驅動(dong)**：將負壓提(ti)升至-5V以上（SiC MOS推薦值）。

  - **驅動電(dian)阻(zu)優化**：減小柵(zha)極電(dian)阻(zu)（如1-5Ω）以加快關斷速度(du)，并聯(lian)反向肖特(te)基二極管(guan)增強抗干擾能(neng)力。

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### **3. 輸(shu)入(ru)電(dian)壓(ya)突(tu)變(bian)引(yin)發(fa)過(guo)壓(ya)/過(guo)流**

- **現象匹配**：輸入630V接近BOOST上限，LLC負載突(tu)變可能導致輸入電壓跌落(luo)，引發控制環路震蕩。

- **關鍵檢查點(dian)**：

  - **輸入電容(rong)(rong)容(rong)(rong)量**：增加高壓電解電容(rong)(rong)或薄膜電容(rong)(rong)（如100μF/630V）以緩(huan)沖瞬(shun)態能(neng)量。

  - **環路(lu)補償(chang)參(can)數**：檢(jian)查BOOST的電壓/電流環PID參(can)數，確保在負載階躍時無超(chao)調。

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### **4. 寄生(sheng)參數導致高頻振蕩**

- **現象匹配**：示(shi)波器未(wei)觀察到(dao)尖峰(feng)，但高(gao)頻振蕩可能因(yin)探頭帶寬不足或測量(liang)點選擇被掩(yan)蓋。

- **解決方案**：

  - **優化PCB布局**：縮(suo)短MOS管(guan)漏(lou)極與電感(gan)的路(lu)徑(jing)，減少寄生電感(gan)；增加RC緩(huan)沖電路(lu)（如1nF+10Ω）。

  - **高頻探頭復測**：用高壓差分探頭（≥100MHz帶(dai)寬）直接測量MOS管(guan)DS極。

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### **5. 散(san)熱設計不足**

- **現象匹配**：燒毀時三極(ji)全穿(chuan)可(ke)能是熱失效（高溫導(dao)致載流子(zi)倍(bei)增）。

- **檢查點(dian)**：

  - **瞬態溫升估(gu)算**：SiC MOS的瞬態熱阻(zu)（如Cree C3M0065090D的RθJC≈0.3℃/W）是否滿足脈沖(chong)功率(lv)需(xu)求。

  - **散熱(re)(re)器與導熱(re)(re)材料(liao)**：檢(jian)查接觸面(mian)是(shi)否均勻(yun)，導熱(re)(re)硅脂是(shi)否老化。

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### **6. 保護(hu)電(dian)路缺失(shi)(shi)或失(shi)(shi)效**

- **必(bi)須檢查項**：

  - **過流保護（OCP）**：確(que)認電流采樣電阻(zu)/霍爾傳感器的信(xin)號(hao)是否(fou)準確(que)觸發(fa)保護。

  - **過壓保護(hu)（OVP）**：輸出670V是否接近BOOST的OVP閾值（建議設置≥700V）。

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### **推薦(jian)步(bu)驟**

1. **立(li)即措施**：  

   - 在BOOST輸出端增加防(fang)倒灌二極管（如(ru)1200V/20A SiC二極管）。

   - 將柵極負(fu)壓調整為-5V，并檢查驅動波(bo)形（關注開啟/關斷延遲(chi)）。

2. **深入測試(shi)**：  

   - 用(yong)電(dian)子負(fu)載模擬(ni)階(jie)躍負(fu)載（如10%-90%跳變），同時監測輸入電(dian)流、MOS管VDS及柵極驅(qu)動波形。

   - 檢查LLC前級電容（670V側）的(de)電壓穩(wen)定性，確認無大幅跌落。

3. **長期改(gai)進**：  

   - 采用交錯并聯BOOST拓撲分攤電流應力。

   - 升級驅動IC（如隔(ge)離驅動的(de)UCC5350）以提(ti)高抗干擾能力。

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若上述措施仍未能(neng)解決，需(xu)重點關注**LLC與(yu)BOOST的交互作用(yong)**（如(ru)LLC啟(qi)動時(shi)的浪涌(yong)電流），建議在兩者(zhe)之間加入預充電電路(lu)或軟啟(qi)動控制(zhi)。

變(bian)壓器飽和 了