對于物聯網終端或者通訊領域，很多項目都會用到SIM卡來實現通訊功能。但對于沒有接觸過這一塊的新手來說，很容易踩坑，今天核桃匯總一下，有需要的小伙伴可以收藏起來。

一般4G模塊的廠家都會提供“硬件開發手冊”，如上海移遠的EC800K的硬件設計手冊。

一、原理圖設計

對于硬件工程師來說，在設計電路之前一定要詳細閱讀對應模塊的“硬件設計手冊/硬件開發手冊”，這里面都是涉及到硬件相關的注意事項，如下SIM卡電路：

再比如中移的ML370C系列的，如下圖所示：

在其中我們可以發現一些規律：

（1）ESD管和電容必不可少。

（2）重點的數據線和時鐘線都會串入電阻。

（3）SIM_DATA會加入上拉電阻。下面是SIM的管腳定義：

一般來說，SIM卡電路按照廠家提供的典型應用圖都能滿足要求，如下：

上圖中的ESD集成管SRV05和單個的ESD管是一個原理，只不過SRV05是集成了5個ESD管，如下圖所示：

在實際的應用中核桃是比較喜歡用單個的，單個使用起來布局走線比較靈活。這個主要看實際情況和個人喜好，沒有強制性要求。ESD管的作用：由于SIM卡槽是人體可以直接接觸到底的地方，所以人體靜電很容易通過卡槽進入到電路中，如果不加ESD管，那瞬間的靜電會直接損壞電路中的器件或者模塊。所以ESD管是不能省。

ESD管在選型中也需要注意：

（1）必須選擇結電容‌≤10pF‌的器件，避免高頻信號衰減（SIM卡時鐘頻率通常在1-5MHz）‌。

（2）響應時間需‌＜1ns‌，確保在ESD事件發生時迅速導通泄放能量‌。

（3）鉗位電壓（Vc）必須‌低于SIM卡工作電壓‌（典型值1.8V/3.0V±5%），且VC值需低于被保護芯片的耐壓極限‌。

（4）建議選擇VRWM ≥5V的器件（如5V TVS管），覆蓋SIM卡電壓波動范圍‌。

（5）SIM卡接口電壓極性可能雙向變化，優先選用‌雙向ESD二極管‌（如SMF05C集成方案）‌。

（6）優選SOT-363、DFN1006等緊湊封裝，適應SIM卡座周邊緊湊布局‌。圖中的33pF電容也是不能省略的，33pF主要過濾掉900MHZ頻段的高配干擾，

此時阻抗最小，濾波效果最佳，如果理解不了的小伙伴，可以戳下面這個文章：面試官：這里為什么用100nF的電容？

在信號線中串入0Ω的電阻主要是為了后期方便調試。R24上拉電阻，增加信號線的抗干擾能力。

（1）ESD器件必須‌緊貼SIM卡座引腳‌（距離≤5mm），縮短保護路徑‌

（2）SIM卡槽盡量靠近模塊放置，保證SIM卡的信號線長度不能超過200mm。

（3）SIM卡信號線遠離高配線路和電源線。

（4）SIM VDD的電源管腳處的旁路電容要靠近SIM卡槽放置。

（5）ESD管，電容，SIM卡槽，在布局時一定要保證后期走線的順暢性，不能東擺一個西擺一個。

（6）走線順序一定要遵循以下規則：SIM卡槽→ESD→電容→電阻→模塊SIM卡槽的信號線出來之后不能第一個跨過ESD管先到電容，一定要先到ESD管才能給到電容，不然ESD管就失去防護的作用。

（7）SIM_CLK(時鐘線)和SIM_DATA(數據線)保證3W間距，避免相互串擾。

（8）如果空間允許，SIM_CLK時鐘線建議單獨包地處理。

（9）由于SIM的電源是由模塊提供的，所以模塊出來的電源必須要先經過電容才能給到SIM。