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一個簡單實用的DC電子負載設計和制作

       這個電子負載從構思到實物制作再到調試完成前前后后花了大概半年多的時間,主要是畫圖擼板和調試都只有抽下班的空閑時間來搞,有些時候整疲憊了就想偷偷懶,所以搞了這么長的時間。其實功能也很簡單,只是電流大點、功率大點。

       設計這款電子負載的一個目的是拿來給電池測容量用的,所以電流和功率設計的比較大,電流有50A,功率600W,電壓還是常規電壓150V,另一個目的呢是為后面折騰交流電子負載打個基礎。

        閑話大概就這么多吧,接下來進入主題,先來說說更新計劃:

        第一更:電子負載設計中的一些理論計算

        第二更:原理圖設計

        第三更:實物調試

        第四更:整體測試

        第五更:樣機調試過程中的一些問題匯總

       大體安排就這樣,每次更新的文字內容盡量語言精煉,嘿嘿嘿~文字不夠圖來湊,但是重點部分我還是會敘述多一點。額,文字排版能力不是特別好,可能后續版面會有點亂。

     明天晚上來把第一更內容填進去。

咦~我還以為星球里面發文章和論壇里面的一樣的可以在下面回復勒~下面開始正題

第一更:電子負載設計中的一些理論計算

      相比較于各種各樣的開關電源拓撲中的復雜計算,其實電子負載的理論計算很少(可能是因為我做的很簡單),其中核心就是計算MOS管可以承受的最大管耗。相信很多壇友再自己做電子負載時第一個去參考的就是MOS管手冊里給的PD,比如下圖,做負載最常用的IRFP260,手冊里面給的最大PD為300W,但是這個300W是有條件的,手冊里面給的PD是強制保持MOS管的外殼為25℃得到的,實際應用的時候能受散熱條件限制,根本無法達到300W的熱功率。

     所以,在設計MOS的管耗的時候我們要根據另一個重要的參數來計算,那就是熱阻Rth,散熱跟我們的過電流是類似的,電路中電流大小受電壓和電阻影響,那么散熱能力同樣的也受溫差和熱阻的影響,這里的熱阻的作用和電路里面的電阻是類似的,專門阻礙熱傳遞的。

      同樣是IRFP260的手冊資料,可以看到,手冊給出的熱阻有兩個,一個是Junction-Case,一個是Case-Sink,前面的是MOS管內部晶圓到MOS外殼的熱阻,后面的是外殼到散熱面的熱阻,在計算功耗的時候就需要這兩個參數,在計算MOS功耗時,我們可以先預設使用的環境溫度為25℃,允許的溫升為60℃,那么根據公式P=ΔT/Rth可以得到MOS管的最大允許耗散功率為81W,遠低于手冊里面給的300W。

      當然,這只是一個簡略的計算,實際MOS最大的耗散功率和他的散熱情況相關聯,比如風冷、自冷或者水冷等,十分具體的計算屬于熱力學方面的知識,受限于我的知識水平無法進行十分有效的分析,當然作為一個粗略的參考還是可以的。

      計算完MOS的功率后就是計算MOS的電流了,同樣的,MOS管手冊里面給的電流數值并不能作為我們實際使用時候的數值,比如IRFP260手冊給出的電流值為50A,我們在實際應用的時候會遠低于這個數值的,做負載用時,一般最大使用其1/5左右的額定值,電流值大小也會根據散熱情況進行調整。

      到這兒,關于電子負載的兩個重要參數就確定好了,根據熱阻可以得到單個MOS的最大耗散功率,根據額定電流可以得到單個MOS的最大過電流能力,剩下的就是最大負載電壓了,這個比較簡單,根據MOS管的耐壓降額70%-80%使用即可。

      在三個關鍵參數計算完畢后可以看到我的最大電壓×最大電流≠最大耗散功率,他們是一個“或“的關系,也就是在實際使用中這三個參數都不能超過最大值。

     剩下的就是一些輔助參數計算了,比如我調節電流時多少V對應多少A,我的采樣電阻怎么算怎么取等等都會放在原理圖設計章節去敘述,這一更到這兒就差不多結束了。

不知道該放什么圖,那就放個表情包放松下吧,哈哈哈嗝兒~

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  • 乜許冭天眞 2020-11-25 18:05
    樓主為啥好久沒更新啦?
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  • 蘭波 2020-11-05 10:09
    圍觀學習
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  • 電源網-天邊本人 2020-11-05 09:13
    坐等更新哈????
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