年初準備測試下理想二極管替代傳統肖特基二極管做為直流輸出防反電路的方案，正好趕上得捷和電源網活動，進行了相關物料的采購。

下圖是在得捷官網上采購的物料：

電路原理如下圖所示：

       方案采用LM74700QDBVTQ1芯片和低導通電阻的MOSFET,準備測試的直流電壓為24V和48V，選擇了IAUT150N10S5N0351的型號。主要參數如下圖所示：

相比肖特基二極管，采用理想二極管的方案，能夠有效降低功率損耗。10A電流，流過MOSFET產生的管壓降只有35mV遠小于肖特基二極管的管壓降，測試了MOSFET的殼溫，10A工作10min左右溫升不超過10℃。如果測試更大電流建議功率管外加散熱器，能夠降低節溫，否則管子上的功耗較大時導通電阻會有較大的升高，導通壓降也會隨之變大。

得捷下單后，大概兩周左右收到元器件。

PCB制板如下圖所示：

制板后實物焊接如下圖所示：

另有測試視頻上傳附件，有興趣的可以查看交流，歡迎討論。