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PI的1700V氮化鎵InnoMux-2 芯片在新能源中應用

長(chang)期致力于(yu)通(tong)過創新推動行(xing)業變革，尤其是在(zai)氮化(hua)鎵(jia)技(ji)術(shu)領(ling)域不斷(duan)實現(xian)突破。InnoMux-2產品(pin)采用PI獨有的PowiGaN技(ji)術(shu)和FluxLink次級側控制(zhi)技(ji)術(shu)，其(qi)在1000VDC下(xia)效(xiao)率(lv)高達90%，多路輸出調節精度控制(zhi)在1%以(yi)內，無(wu)需(xu)后級穩壓(ya)器(qi)即可提(ti)升系(xi)統效(xiao)率(lv)約10%。為太(tai)陽能逆變器(qi)、新能源汽車(che)充電(dian)器(qi)、工業設備等(deng)高端(duan)市(shi)場提(ti)供了更具成本效(xiao)益的替代方(fang)案。

PI開發的FluxLink數(shu)字隔(ge)離通信技術(shu)提供了高(gao)精度、多(duo)路輸(shu)出控制的革命性方案(an)。這些創新不(bu)僅(jin)提升了產品(pin)效(xiao)率，還顯著降低了系統復雜性，為客戶帶(dai)來更高(gao)性能和成本優勢(shi)。

氮化(hua)鎵GaN和碳化(hua)硅SiC作(zuo)為下(xia)一代功率器件的(de)(de)核心(xin)技(ji)(ji)術，正引領行業變(bian)革。兩(liang)種材料(liao)因技(ji)(ji)術特(te)性和成(cheng)本結構的(de)(de)差(cha)異，定位(wei)于不(bu)同的(de)(de)市場應(ying)(ying)用場景，形成(cheng)了互(hu)補又(you)競(jing)爭的(de)(de)格局。PI研發的(de)(de)氮化(hua)鎵產品的(de)(de)主要(yao)應(ying)(ying)用領域及技(ji)(ji)術特(te)點如下(xia)。

PI 的(de)(de)氮化鎵技術(shu)(shu)支持800V至1000V的(de)(de)高壓母線電(dian)(dian)(dian)壓，是推動電(dian)(dian)(dian)動車充電(dian)(dian)(dian)效率和續航能力提升的(de)(de)關鍵。通過零電(dian)(dian)(dian)壓開關（ZVS）技術(shu)(shu)和 FluxLink數字隔離通信技術(shu)(shu)，PI 不(bu)僅顯著降低充電(dian)(dian)(dian)過程中的(de)(de)開關損耗，還優化了(le)系統成本(ben)和體積，為高壓電(dian)(dian)(dian)池組的充電提供(gong)了更高效、更經濟(ji)的解決方案。

InnoMux-2系列(lie)產(chan)品技術優勢及設計架(jia)構，展示了(le)其在高壓GaN技術中的領先能(neng)力，特別是(shi)在可靠性(xing)和散熱性(xing)能(neng)上的突破。

1700V氮(dan)化(hua)鎵開關雙路輸出的典(dian)型(xing)應用板子：

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05-10 16:38

PI的另(ling)一款(kuan)系列產品INNOSWITCH-AQ，為汽車應(ying)用提供了多種方案選(xuan)擇,包括(kuo)750V硅(gui)、900V硅(gui)、900V PowiGaN或1700V碳(tan)化(hua)硅(gui)開關。

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05-13 13:07
@奮斗的青春
PI的另(ling)一款系列產(chan)品INNOSWITCH-AQ，為(wei)汽(qi)車(che)應用提供了多種方案(an)選擇,包括750V硅、900V硅、900VPowiGaN或1700V碳化硅開關。

InnoMux-2采(cai)用(yong)PI獨(du)有的PowiGaN技術(shu)和FluxLink次級側控制技術(shu)，在技術(shu)參數和性能(neng)上均實現(xian)了跨越式升級。

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飛翔2004
LV.10
4
05-15 08:57

在多(duo)路輸(shu)出應(ying)用中，PI通過ZVS技術和FluxLink技術的協同作用，不僅實現了(le)高精度的電(dian)壓(ya)控制(zhi)，還提升(sheng)了(le)系統(tong)的整體可靠性和響應(ying)速度。

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trllgh
LV.10
5
05-16 08:37
@大海的兒子
InnoMux-2采用(yong)PI獨有的PowiGaN技(ji)術(shu)和(he)FluxLink次(ci)級(ji)側(ce)控制技(ji)術(shu)，在技(ji)術(shu)參(can)數(shu)和(he)性能(neng)上均實現了跨越式升級(ji)。

其在1000VDC母線電(dian)壓下效(xiao)率(lv)高達90%，多路輸出調節(jie)精度(du)控制在1%以內，無需后級穩壓器即可提升系統效(xiao)率(lv)約(yue)10%。

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spowergg
LV.10
6
05-21 09:17
@飛翔2004
在多路輸(shu)出應(ying)用(yong)中(zhong)，PI通過ZVS技術(shu)和FluxLink技術(shu)的協同作用(yong)，不僅實現(xian)了(le)高精度的電壓(ya)控(kong)制(zhi)，還提(ti)升了(le)系統的整體可(ke)靠性和響應(ying)速(su)度。

與氮化(hua)鎵晶(jing)體管(guan)類似，碳化(hua)硅(gui)MOSFET同樣具有導(dao)通電阻(zu)小，寄生參數小等特點，另外其體二極管(guan)特性也比硅(gui)MOSFET大為提升。

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only one
LV.8
7
05-23 00:25

氮(dan)化鎵GaN和碳化硅(gui)SiC作為(wei)下一代功率器(qi)件的(de)核(he)心(xin)技(ji)術，正引領(ling)行(xing)業變革(ge)。兩(liang)種材(cai)料因技(ji)術特性(xing)和成本結構的(de)差(cha)異，定位(wei)于不同的(de)市場應用場景，

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沈夜
LV.8
8
05-24 00:32

如何通過技術創新降低太陽(yang)能逆變器的成本？

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05-24 22:03

1700V一(yi)般(ban)用在哪里

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dy-nmLUWFNr
LV.8
10
05-25 09:40

這個設計的主(zhu)要應(ying)用(yong)場景有哪些

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dy-nmLUWFNr
LV.8
11
05-25 09:42

非(fei)常(chang)不(bu)錯的應(ying)用案例(li)分享

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htwdb
LV.8
12
05-25 18:56

目前在(zai)新(xin)能(neng)源行業中(zhong)氮化鎵GaN和碳(tan)化硅SiC的(de)應用(yong)比(bi)例為多少？

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tanb006
LV.10
13
05-25 19:52

干(gan)嘛不(bu)直接(jie)放在變壓器下面？這樣多浪(lang)費空間？

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dy-mb2U9pBf
LV.8
14
05-25 20:10

PI 的氮化鎵技術支持800V至1000V的高壓(ya)母線電壓(ya)，是推(tui)動(dong)電動(dong)車(che)充電效率(lv)和續(xu)航能力提升(sheng)的關鍵，今后的新能源(yuan)領域(yu)會(hui)看到(dao)pi的身影。

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dy-StTIVH1p
LV.8
15
05-25 21:29

PI在(zai)這(zhe)個模式下工作最大的(de)傳(chuan)輸(shu)效率(lv)可以達到多少(shao)

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dy-StTIVH1p
LV.8
16
05-25 21:35

怎(zen)么(me)樣有(you)效減小(xiao)傳(chuan)輸功耗(hao)對(dui)信(xin)號輸出的影響

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dy-TMelSvc9
LV.8
17
05-25 22:05

不斷(duan)提高信號(hao)傳輸效率對(dui)于改善性能有明(ming)顯幫助作(zuo)用

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fzwwj95
LV.6
18
05-25 22:36

建(jian)議(yi)在光伏逆變器應用(yong)中采用(yong)交(jiao)錯(cuo)式LLC架構，結合1700V PowiGaN器件的dv/dt控(kong)制能(neng)力（典(dian)型值<50V/ns），可降低諧振(zhen)回路(lu)損(sun)耗15%以上。實測(ce)數據顯示，在800VDC輸入(ru)時，采用(yong)ZVS技術(shu)可使(shi)開(kai)關(guan)損(sun)耗降低至(zhi)傳統硬開(kai)關(guan)的1/3，建(jian)議(yi)通過柵極驅動電阻優化將開(kai)關(guan)頻率穩定在200-300kHz區間(jian)。

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05-27 00:01

PI 的氮化鎵技術(shu)支(zhi)持800V至(zhi)1000V的高壓(ya)母線(xian)電壓(ya)，是推動電動車充電效率和(he)(he)續(xu)航能(neng)力提升(sheng)的關鍵。通(tong)過零電壓(ya)開關（ZVS）技術(shu)和(he)(he) FluxLink數字隔離通(tong)信技術(shu)，這技術(shu)簡衴嗎

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千影
LV.6
20
05-30 23:57

氮化鎵技術如何推動新(xin)能(neng)源發(fa)展？

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06-06 16:48
@trllgh
其在1000VDC母(mu)線電壓下(xia)效率高達90%，多路輸出(chu)調節(jie)精度控制(zhi)在1%以內，無需后級穩壓器即可(ke)提升系統效率約(yue)10%。

相比傳統硅和(he)碳化硅（SiC）器(qi)件，GaN在導(dao)通損耗、開關速度和(he)體積方面具有顯著優勢.

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xxbw6868
LV.10
22
06-09 13:22
@大海的兒子
相比傳統硅和碳化硅（SiC）器件，GaN在導通損耗、開關速度(du)和體積方(fang)面具有顯著優勢.

PI通過(guo)創新(xin)的零(ling)電壓開關（ZVS）技術，將開關損耗幾乎(hu)完全消除，使得(de)器件發熱量(liang)顯著降低.

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opingss88
LV.10
23
06-13 22:54

自(zi)動重啟(qi)動計數器由SOA模式中的開關(guan)振(zhen)蕩器提(ti)供柵(zha)極控(kong)制，自(zi)動重啟(qi)動關(guan)斷時間可能會更長

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xxbw6868
LV.10
24
07-12 08:46
@spowergg
與氮化鎵晶體(ti)管類似(si)，碳化硅(gui)(gui)MOSFET同樣具有導通(tong)電阻(zu)小，寄生參數小等特點，另(ling)外其體(ti)二極管特性(xing)也比硅(gui)(gui)MOSFET大為提(ti)升。

碳化硅MOSFET相(xiang)比相(xiang)近導通電(dian)阻(zu)的硅MOSFET，反向(xiang)恢(hui)復(fu)電(dian)荷只有(you)1/6左(zuo)右，輸出電(dian)容上(shang)的電(dian)荷只有(you)1/5左(zuo)右。

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cwm4610
LV.6
25
07-25 10:36

InnoMux-2 芯(xin)片在新(xin)能源動(dong)動(dong)汽車中的應用，這款是用得比較多的案例(li)分析。值得推薦！

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dy-TMelSvc9
LV.8
26
07-25 17:19

怎么樣利用氮化鎵器(qi)(qi)件的(de)傳導特性來改善器(qi)(qi)件傳輸通導效(xiao)率

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417zhouge
LV.9
27
07-25 19:22

高壓條件(jian)下，安規要(yao)求的爬(pa)電和電氣距(ju)離會相應的變化，想(xiang)了(le)解(jie)一下這款參考設計中，原副邊的距(ju)離大概(gai)(gai)能做到(dao)多少，DC500-1000V條件(jian)下輸出功率，大概(gai)(gai)能做到(dao)多少；

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CDJ01
LV.5
28
07-25 20:03

1700V的高壓，氮化鎵的開關頻率又(you)高，dv/dt一定很大(da)吧，怎么做(zuo)好電磁(ci)兼容

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07-25 20:42

多路輸出調節精度控制在1%以內，無需后級穩壓器即(ji)可提(ti)升系統效率約10%，非常高效

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